ВНИМАНИЕ! НОВАЯ ФОРМА СВЕДЕНИЙ, ХАРАКТЕРИЗУЮЩИХ ОПО! см раздел РЕГИСТРАЦИЯ ОПО С 01.03.2026 заявления о предоставлении лицензии (о внесении изменений в ЕРУЛ) направляются в лицензирующий орган  через ЕПГУ (см. раздел Деятельность - Лицензирование). Внимание! С 01.03.2026 вступают в действие новые Правила регистрации опасных производственных объектов! Подробности в разделе Деятельность - Регистрация ОПО Внимание! С 29.10.2025 новая форма заявления об аттестации. Подробности в разделе Деятельность - Подготовка и аттестация работников. Внимание! С 04.02.2026 положительный результат гос.услуги по ЗЭПБ на бумажном носителе не предоставляется (подробности в разделе «Экспертиза промышленной безопасности») Внимание! Основной адрес электронной почты Управления [office@nvol.gosnadzor.gov.ru].

В России создан опытный образец 130 нанометрового литографа для чипов

14.08.2026

Источник: е пром

В России завершена разработка литографа – установки проекционного переноса изображений для производства интегральных схем с нормами 130 нм, сообщило издание CNews. Оборудование создано Зеленоградским нанотехнологическим центром (ЗНТЦ) совместно с белорусской компанией «Планар».

Ключевые факты:

Установка предназначена для пластин диаметром до 200 мм и проектной нормы 130 нм.

Главная особенность — использование эксимерного лазера с длиной волны 193 нм, что соответствует мировым стандартам DUV-литографии.

Общий бюджет опытно-конструкторских работ от Минпромторга — 5,7 млрд руб., стоимость третьего этапа — 2,46 млрд руб.

Серийные поставки планируются с 2027 года.

По оценке экспертов, создание установки доказывает наличие инженерных компетенций и открывает путь к нормам 90 и 65 нм. При этом от образца до промышленной эксплуатации путь еще значительный.

Емкость российского рынка для таких установок оценивается в 15–25 единиц до 2030–2032 гг. с учетом износа текущего парка зарубежных машин. Производство будет штучным, мелкосерийным. Ранее ЗНТЦ уже создал серийный фотолитограф на 350 нм и установку электронно-лучевой литографии на 150 нм.

Возврат к списку